货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥28.618629 | ¥28.62 |
10 | ¥25.679261 | ¥256.79 |
100 | ¥21.040693 | ¥2104.07 |
500 | ¥17.911779 | ¥8955.89 |
1000 | ¥15.10637 | ¥15106.37 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 12.6 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 110 ns
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 155 ns
典型接通延迟时间 60 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQA13N80_F109
单位重量 4.600 g
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0FQA13N80-F109
型号:FQA13N80-F109
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.618629 |
10+: | ¥25.679261 |
100+: | ¥21.040693 |
500+: | ¥17.911779 |
1000+: | ¥15.10637 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.62