
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥84.72758 | ¥84.73 |
| 10 | ¥77.857776 | ¥778.58 |
| 25 | ¥74.632379 | ¥1865.81 |
| 100 | ¥64.546922 | ¥6454.69 |
| 250 | ¥62.529831 | ¥15632.46 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 56 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 245 nC
耗散功率 1.89 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 105 S, 65 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFB110N60P3
型号:IXFB110N60P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥84.72758 |
| 10+: | ¥77.857776 |
| 25+: | ¥74.632379 |
| 100+: | ¥64.546922 |
| 250+: | ¥62.529831 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥84.73