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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 22.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 42 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 160 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 SP001552994
单位重量 4 g
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0IRLZ44ZSPBF
型号:IRLZ44ZSPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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