货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.682043 | ¥5.68 |
10 | ¥4.604822 | ¥46.05 |
100 | ¥3.134593 | ¥313.46 |
500 | ¥2.350709 | ¥1175.35 |
1000 | ¥1.762973 | ¥1762.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 -
耗散功率 650 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3200U-7
型号:DMN3200U-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.682043 |
10+: | ¥4.604822 |
100+: | ¥3.134593 |
500+: | ¥2.350709 |
1000+: | ¥1.762973 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.68