SI4378DY-T1-E3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4378DY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.583825 | ￥15.58 |
| 10 | ￥12.750402 | ￥127.50 |
| 25 | ￥11.994822 | ￥299.87 |
| 100 | ￥11.163686 | ￥1116.37 |
| 250 | ￥10.786368 | ￥2696.59 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4378DY-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.7mOhm @ 25A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
55nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8500pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4378DY-T1-E3 同类别型号
注
SI4378DY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI4378DY-T1-E3、查询SI4378DY-T1-E3代理商；
SI4378DY-T1-E3价格批发咨询客服；这里拥有
SI4378DY-T1-E3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI4378DY-T1-E3
替代型号
、SI4378DY-T1-E3
数据手册PDF。
SI4378DY-T1-E3
型号：SI4378DY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.583825 |
| 10+： | ￥12.750402 |
| 25+： | ￥11.994822 |
| 100+： | ￥11.163686 |
| 250+： | ￥10.786368 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.58