货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥45.007587 | ¥45.01 |
10 | ¥40.397221 | ¥403.97 |
100 | ¥33.098045 | ¥3309.80 |
500 | ¥28.175572 | ¥14087.79 |
1000 | ¥23.762499 | ¥23762.50 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 167 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP120N08S4-03 SP000989106
单位重量 2 g
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0IPP120N08S403AKSA1
型号:IPP120N08S403AKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥45.007587 |
10+: | ¥40.397221 |
100+: | ¥33.098045 |
500+: | ¥28.175572 |
1000+: | ¥23.762499 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥45.01