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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 55 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSF030NE2LQ SP000756348
单位重量 49.290 mg
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0BSF030NE2LQXUMA1
型号:BSF030NE2LQXUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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