APT29F100B2
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- 制造商编号：
- APT29F100B2
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
- 渠道：
- digikey
库存 ：43
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥239.80791 | ￥239.81 |
| 100 | ￥194.733373 | ￥19473.34 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT29F100B2
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
包装
Tube
系列
POWER MOS 8™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
440mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
260nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1040W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 Variant
APT29F100B2 同类别型号
注
APT29F100B2品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、APT29F100B2
数据手册PDF
。
APT29F100B2
型号：APT29F100B2
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：43 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥239.80791 |
| 100+： | ￥194.733373 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥239.81