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IXTA1N100

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTA1N100
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
渠道:
国内现货
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货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

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定价(含税)

数量 价格 总计
1 29.442027 29.44
10 26.422508 264.23
100 21.651531 2165.15
500 18.431257 9215.63
1000 15.5445 15544.50

规格参数

属性
参数值

制造商型号

IXTA1N100

制造商

IXYS(艾赛斯.力特)

商品描述

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

包装

Tube

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

1000V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

1.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

11Ohm @ 1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

14.5nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

400pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

54W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

TO-263 (IXTA)

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号:IXTA1N100

品牌:IXYS

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