货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.97851 | ¥30.98 |
10 | ¥27.846007 | ¥278.46 |
100 | ¥22.817371 | ¥2281.74 |
500 | ¥19.423872 | ¥9711.94 |
1000 | ¥16.381603 | ¥16381.60 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 176 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 84 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG21N60EF-GE3
型号:SIHG21N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.97851 |
10+: | ¥27.846007 |
100+: | ¥22.817371 |
500+: | ¥19.423872 |
1000+: | ¥16.381603 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.98