
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥33.176216 | ¥33.18 |
| 10 | ¥29.778458 | ¥297.78 |
| 100 | ¥24.398141 | ¥2439.81 |
| 500 | ¥20.769807 | ¥10384.90 |
| 1000 | ¥17.516669 | ¥17516.67 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0IXTP60N20T
型号:IXTP60N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥33.176216 |
| 10+: | ¥29.778458 |
| 100+: | ¥24.398141 |
| 500+: | ¥20.769807 |
| 1000+: | ¥17.516669 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥33.18