货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.205107 | ¥14.21 |
10 | ¥12.71357 | ¥127.14 |
100 | ¥9.909246 | ¥990.92 |
500 | ¥8.186405 | ¥4093.20 |
1000 | ¥6.462851 | ¥6462.85 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10.1 A
漏源电阻 650 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R650CE SP001396908
单位重量 4 g
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0IPD65R650CEAUMA1
型号:IPD65R650CEAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.205107 |
10+: | ¥12.71357 |
100+: | ¥9.909246 |
500+: | ¥8.186405 |
1000+: | ¥6.462851 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.21