
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.928503 | ¥35.93 |
| 10 | ¥30.153026 | ¥301.53 |
| 100 | ¥24.392177 | ¥2439.22 |
| 500 | ¥21.681857 | ¥10840.93 |
| 1000 | ¥18.565148 | ¥18565.15 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP10N80P
型号:IXFP10N80P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.928503 |
| 10+: | ¥30.153026 |
| 100+: | ¥24.392177 |
| 500+: | ¥21.681857 |
| 1000+: | ¥18.565148 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥35.93