货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.28288 | ¥17.28 |
10 | ¥15.400704 | ¥154.01 |
100 | ¥12.006866 | ¥1200.69 |
500 | ¥9.918716 | ¥4959.36 |
1000 | ¥7.830565 | ¥7830.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
购物车
0DMTH6004SK3Q-13
型号:DMTH6004SK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.28288 |
10+: | ¥15.400704 |
100+: | ¥12.006866 |
500+: | ¥9.918716 |
1000+: | ¥7.830565 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.28