
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.334388 | ¥8.33 |
| 10 | ¥5.106708 | ¥51.07 |
| 100 | ¥3.254958 | ¥325.50 |
| 500 | ¥2.450311 | ¥1225.16 |
| 1000 | ¥2.190581 | ¥2190.58 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 0.35 mm
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.700 mg
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0CSD17585F5
型号:CSD17585F5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.334388 |
| 10+: | ¥5.106708 |
| 100+: | ¥3.254958 |
| 500+: | ¥2.450311 |
| 1000+: | ¥2.190581 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.33