
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.126829 | ¥8.13 |
| 10 | ¥7.279067 | ¥72.79 |
| 100 | ¥5.675333 | ¥567.53 |
| 500 | ¥4.688421 | ¥2344.21 |
| 1000 | ¥4.291434 | ¥4291.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 702 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R360P7S SP001866154
单位重量 2 g
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0IPAN60R360P7SXKSA1
型号:IPAN60R360P7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.126829 |
| 10+: | ¥7.279067 |
| 100+: | ¥5.675333 |
| 500+: | ¥4.688421 |
| 1000+: | ¥4.291434 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.13