货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.939179 | ¥9.94 |
10 | ¥8.902359 | ¥89.02 |
100 | ¥6.94098 | ¥694.10 |
500 | ¥5.733978 | ¥2866.99 |
1000 | ¥5.24846 | ¥5248.46 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 702 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN60R360P7S SP001866154
单位重量 2 g
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0IPAN60R360P7SXKSA1
型号:IPAN60R360P7SXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.939179 |
10+: | ¥8.902359 |
100+: | ¥6.94098 |
500+: | ¥5.733978 |
1000+: | ¥5.24846 |
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单价:¥0.00总价:¥9.94