货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.589188 | ¥18.59 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 18.5 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 88 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0NTBV5605T4G
型号:NTBV5605T4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.589188 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.59