货期:(7~10天)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥20.042459 | ¥20042.46 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 560 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB18N60E-GE3
型号:SIHB18N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥20.042459 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00