SISS32LDN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS32LDN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 80V POWERPAK 1212-8S
- 渠道：
- digikey
库存 ：279
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.089 | ￥25.09 |
| 10 | ￥16.950373 | ￥169.50 |
| 100 | ￥11.368071 | ￥1136.81 |
| 500 | ￥8.973602 | ￥4486.80 |
| 1000 | ￥8.203033 | ￥8203.03 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.7 nC, 37.5 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 55 S
上升时间 6 ns, 61 ns
晶体管类型 N - Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISS32LDN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS32LDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS32LDN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS32LDN-T1-GE3
型号：SISS32LDN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：279 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.089 |
| 10+： | ￥16.950373 |
| 100+： | ￥11.368071 |
| 500+： | ￥8.973602 |
| 1000+： | ￥8.203033 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.09