货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥6.166171 | ¥6166.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 8.3 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 ISP650P06NM SP004987266
单位重量 114 mg
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0ISP650P06NMXTSA1
型号:ISP650P06NMXTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥6.166171 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00