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ISP650P06NMXTSA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
ISP650P06NMXTSA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 60V SOT223-4
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1000 6.166171 6166.17

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 3.7 A

漏源电阻 65 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.1 V

栅极电荷 39 nC

耗散功率 4.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

正向跨导(Min) 8.3 S

上升时间 14 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 37 ns

典型接通延迟时间 12 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 ISP650P06NM SP004987266

单位重量 114 mg

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ISP650P06NMXTSA1

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型号:ISP650P06NMXTSA1

品牌:INFINEON

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