货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.526126 | ¥5.53 |
10 | ¥4.504993 | ¥45.05 |
100 | ¥3.068201 | ¥306.82 |
500 | ¥2.300791 | ¥1150.40 |
1000 | ¥1.725594 | ¥1725.59 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 950 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.1 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 2.65 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN2F34FHTA
型号:ZXMN2F34FHTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.526126 |
10+: | ¥4.504993 |
100+: | ¥3.068201 |
500+: | ¥2.300791 |
1000+: | ¥1.725594 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.53