货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥9.540605 | ¥7632.48 |
1600 | ¥7.90507 | ¥12648.11 |
2400 | ¥7.35987 | ¥17663.69 |
5600 | ¥7.087269 | ¥39688.71 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
正向跨导(Min) 32 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF3710STRLPBF SP001553984
单位重量 330 mg
购物车
0IRF3710STRLPBF
型号:IRF3710STRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥9.540605 |
1600+: | ¥7.90507 |
2400+: | ¥7.35987 |
5600+: | ¥7.087269 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00