货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.612327 | ¥11.61 |
10 | ¥10.233362 | ¥102.33 |
100 | ¥7.846788 | ¥784.68 |
500 | ¥6.20316 | ¥3101.58 |
1000 | ¥4.962576 | ¥4962.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 43.5 nC
耗散功率 2.97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 84 ns
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3493BDV-T1-GE3
型号:SI3493BDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.612327 |
10+: | ¥10.233362 |
100+: | ¥7.846788 |
500+: | ¥6.20316 |
1000+: | ¥4.962576 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.61