货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥421.378295 | ¥421.38 |
10 | ¥395.836748 | ¥3958.37 |
100 | ¥354.978856 | ¥35497.89 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
漏极电流 66 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 960 W
漏源电阻 75 mOhms
上升时间 300 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 600 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN82N60Q3
型号:IXFN82N60Q3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥421.378295 |
10+: | ¥395.836748 |
100+: | ¥354.978856 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥421.38