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IXFN82N60Q3

IXYS(艾赛斯.力特)
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请参阅产品规格
制造商编号:
IXFN82N60Q3
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
渠道:
国内现货
mouser
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 421.378295 421.38
10 395.836748 3958.37
100 354.978856 35497.89

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

商标名 HiPerFET

技术类参数

栅极电压 - 30 V, + 30 V

配置 Single

漏极电流 66 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 960 W

漏源电阻 75 mOhms

上升时间 300 ns

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 600 V

物理类型

产品种类 分立半导体模块

安装风格 Chassis Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 30 g

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IXFN82N60Q3

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型号:IXFN82N60Q3

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥421.378295
10+: ¥395.836748
100+: ¥354.978856

货期:1-2天

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