
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥75.419983 | ¥75.42 |
| 50 | ¥42.476902 | ¥2123.85 |
| 100 | ¥39.141901 | ¥3914.19 |
| 500 | ¥34.267903 | ¥17133.95 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP100N60E-GE3
型号:SIHP100N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥75.419983 |
| 50+: | ¥42.476902 |
| 100+: | ¥39.141901 |
| 500+: | ¥34.267903 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥75.42