SISS22LDN-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SISS22LDN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V POWERPAK 1212-8S
- 渠道：
- digikey
库存 ：14340
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.745838 | ￥17.75 |
| 10 | ￥14.517931 | ￥145.18 |
| 100 | ￥11.291555 | ￥1129.16 |
| 500 | ￥9.571127 | ￥4785.56 |
| 1000 | ￥7.796696 | ￥7796.70 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 92.5 A
漏源电阻 3.65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 17.4 nC, 37.3 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 57 S
上升时间 6 ns, 70 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 28 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISS22LDN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS22LDN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SISS22LDN-T1-GE3、查询SISS22LDN-T1-GE3代理商；
SISS22LDN-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SISS22LDN-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SISS22LDN-T1-GE3
替代型号
、SISS22LDN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS22LDN-T1-GE3
型号：SISS22LDN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：14340 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.745838 |
| 10+： | ￥14.517931 |
| 100+： | ￥11.291555 |
| 500+： | ￥9.571127 |
| 1000+： | ￥7.796696 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.75