SI3493BDV-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI3493BDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：5094
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.314408 | ￥13.31 |
| 10 | ￥11.733322 | ￥117.33 |
| 100 | ￥8.996934 | ￥899.69 |
| 500 | ￥7.112391 | ￥3556.20 |
| 1000 | ￥5.689968 | ￥5689.97 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 43.5 nC
耗散功率 2.97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 84 ns
上升时间 72 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3493BDV-T1-BE3 SI3493BDV-GE3
单位重量 20 mg
SI3493BDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3493BDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI3493BDV-T1-GE3、查询SI3493BDV-T1-GE3代理商；
SI3493BDV-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI3493BDV-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI3493BDV-T1-GE3
替代型号
、SI3493BDV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3493BDV-T1-GE3
型号：SI3493BDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5094 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.314408 |
| 10+： | ￥11.733322 |
| 100+： | ￥8.996934 |
| 500+： | ￥7.112391 |
| 1000+： | ￥5.689968 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.31