货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥18.817322 | ¥18.82 |
10 | ¥13.279216 | ¥132.79 |
100 | ¥10.329638 | ¥1032.96 |
500 | ¥8.218427 | ¥4109.21 |
1000 | ¥7.385265 | ¥7385.27 |
2000 | ¥7.314738 | ¥14629.48 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 194 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ22DN20NS3 G SP000781794
单位重量 38.760 mg
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0BSZ22DN20NS3GATMA1
型号:BSZ22DN20NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.817322 |
10+: | ¥13.279216 |
100+: | ¥10.329638 |
500+: | ¥8.218427 |
1000+: | ¥7.385265 |
2000+: | ¥7.314738 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.82