TSM4N60ECP ROG
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- 制造商编号：
- TSM4N60ECP ROG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.858865 | ￥16.86 |
| 10 | ￥15.031308 | ￥150.31 |
| 25 | ￥14.269117 | ￥356.73 |
| 100 | ￥10.700421 | ￥1070.04 |
| 250 | ￥10.598702 | ￥2649.68 |
| 500 | ￥9.070352 | ￥4535.18 |
| 1000 | ￥7.388717 | ￥7388.72 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM4N60ECP ROG
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.5Ohm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
545pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
86.2W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
TSM4N60ECP ROG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TSM4N60ECP ROG
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。
TSM4N60ECP ROG
型号：TSM4N60ECP ROG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.858865 |
| 10+： | ￥15.031308 |
| 25+： | ￥14.269117 |
| 100+： | ￥10.700421 |
| 250+： | ￥10.598702 |
| 500+： | ￥9.070352 |
| 1000+： | ￥7.388717 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.86