货期: 8周-10周
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥62.623118 | ¥3131.16 |
100 | ¥53.677498 | ¥5367.75 |
250 | ¥50.69579 | ¥12673.95 |
500 | ¥47.713582 | ¥23856.79 |
1250 | ¥40.854728 | ¥51068.41 |
2500 | ¥38.469061 | ¥96172.65 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 297 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 19.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD19506KTTT
型号:CSD19506KTTT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
50+: | ¥62.623118 |
100+: | ¥53.677498 |
250+: | ¥50.69579 |
500+: | ¥47.713582 |
1250+: | ¥40.854728 |
2500+: | ¥38.469061 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00