货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.67779 | ¥40.68 |
10 | ¥36.564175 | ¥365.64 |
100 | ¥29.956055 | ¥2995.61 |
500 | ¥25.500832 | ¥12750.42 |
1000 | ¥21.506759 | ¥21506.76 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 128 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 134 S
上升时间 49 ns
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP4D5N10C
型号:FDP4D5N10C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.67779 |
10+: | ¥36.564175 |
100+: | ¥29.956055 |
500+: | ¥25.500832 |
1000+: | ¥21.506759 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥40.68