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SI3429EDV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI3429EDV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
渠道:
digikey

库存 :5685

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.560211 5.56
10 4.47288 44.73
25 4.092316 102.31
100 2.568817 256.88
250 2.540399 635.10
500 2.378534 1189.27
1000 1.617403 1617.40

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 38 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 118 nC

耗散功率 4.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 20 mg

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SI3429EDV-T1-GE3

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型号:SI3429EDV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:5685 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.560211
10+: ¥4.47288
25+: ¥4.092316
100+: ¥2.568817
250+: ¥2.540399
500+: ¥2.378534
1000+: ¥1.617403

货期:7-10天

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