货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥65.610468 | ¥65.61 |
10 | ¥58.938217 | ¥589.38 |
100 | ¥48.2898 | ¥4828.98 |
500 | ¥41.108233 | ¥20554.12 |
1000 | ¥37.145904 | ¥37145.90 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB100N60E-GE3
型号:SIHB100N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥65.610468 |
10+: | ¥58.938217 |
100+: | ¥48.2898 |
500+: | ¥41.108233 |
1000+: | ¥37.145904 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥65.61