货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥3.991762 | ¥11975.29 |
6000 | ¥3.88808 | ¥23328.48 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 108 A
漏源电阻 5.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 76 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 16 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISS05DN-T1-GE3
型号:SISS05DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.991762 |
6000+: | ¥3.88808 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00