IPB50N10S3L16ATMA1
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- 制造商编号：
- IPB50N10S3L16ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：874
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.093096 | ￥23.09 |
| 10 | ￥20.769619 | ￥207.70 |
| 25 | ￥19.596547 | ￥489.91 |
| 100 | ￥15.282529 | ￥1528.25 |
| 250 | ￥14.891221 | ￥3722.81 |
| 500 | ￥12.931849 | ￥6465.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB50N10S3L16ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
15.4mOhm @ 50A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
64nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4180pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB50N10S3L16ATMA1 同类别型号
注
IPB50N10S3L16ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPB50N10S3L16ATMA1
数据手册PDF
。
IPB50N10S3L16ATMA1
型号：IPB50N10S3L16ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：874 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.093096 |
| 10+： | ￥20.769619 |
| 25+： | ￥19.596547 |
| 100+： | ￥15.282529 |
| 250+： | ￥14.891221 |
| 500+： | ￥12.931849 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.09