
货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥11.452853 | ¥2863.21 |
| 500 | ¥10.120891 | ¥5060.45 |
| 1250 | ¥7.990178 | ¥9987.72 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 89 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85.200 mg
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0CSD18513Q5AT
型号:CSD18513Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥11.452853 |
| 500+: | ¥10.120891 |
| 1250+: | ¥7.990178 |
货期:7-10天
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