CSD18513Q5AT
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- 制造商编号：
- CSD18513Q5AT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
- 渠道：
- digikey
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥11.453201 | ￥2863.30 |
| 500 | ￥10.121198 | ￥5060.60 |
| 1250 | ￥7.99042 | ￥9988.02 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 89 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85.200 mg
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注
CSD18513Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18513Q5AT
数据手册PDF
。
CSD18513Q5AT
型号：CSD18513Q5AT
品牌：TI
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥11.453201 |
| 500+： | ￥10.121198 |
| 1250+： | ￥7.99042 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00