货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.763361 | ¥10.76 |
10 | ¥10.533888 | ¥105.34 |
50 | ¥9.954743 | ¥497.74 |
100 | ¥9.801761 | ¥980.18 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 33 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP120N60E-GE3
型号:SIHP120N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.763361 |
10+: | ¥10.533888 |
50+: | ¥9.954743 |
100+: | ¥9.801761 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.76