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IPD50R800CEBTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD50R800CEBTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.317087 13.32
10 11.815373 118.15
25 10.665003 266.63
100 9.331878 933.19
250 8.184057 2046.01
500 7.258379 3629.19
1000 5.74009 5740.09

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 500 V

漏极电流 7.6 A

漏源电阻 720 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 12.4 nC

耗散功率 60 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15.9 ns

上升时间 5.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26 ns

典型接通延迟时间 6.2 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD50R800CE SP000992076

单位重量 330 mg

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IPD50R800CEBTMA1

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型号:IPD50R800CEBTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥13.317087
10+: ¥11.815373
25+: ¥10.665003
100+: ¥9.331878
250+: ¥8.184057
500+: ¥7.258379
1000+: ¥5.74009

货期:7-10天

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