
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.317087 | ¥13.32 |
| 10 | ¥11.815373 | ¥118.15 |
| 25 | ¥10.665003 | ¥266.63 |
| 100 | ¥9.331878 | ¥933.19 |
| 250 | ¥8.184057 | ¥2046.01 |
| 500 | ¥7.258379 | ¥3629.19 |
| 1000 | ¥5.74009 | ¥5740.09 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 7.6 A
漏源电阻 720 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12.4 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.9 ns
上升时间 5.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50R800CE SP000992076
单位重量 330 mg
购物车
0IPD50R800CEBTMA1
型号:IPD50R800CEBTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.317087 |
| 10+: | ¥11.815373 |
| 25+: | ¥10.665003 |
| 100+: | ¥9.331878 |
| 250+: | ¥8.184057 |
| 500+: | ¥7.258379 |
| 1000+: | ¥5.74009 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.32