STL31N65M5
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- 制造商编号：
- STL31N65M5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥59.569128 | ￥59.57 |
| 10 | ￥53.530614 | ￥535.31 |
| 100 | ￥43.86355 | ￥4386.35 |
| 500 | ￥37.340595 | ￥18670.30 |
| 1000 | ￥31.491941 | ￥31491.94 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL31N65M5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
MDmesh™ V
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.8A (Ta), 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
162mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1865pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 125W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (8x8) HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
STL31N65M5 同类别型号
注
STL31N65M5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STL31N65M5
数据手册PDF。
STL31N65M5
型号：STL31N65M5
品牌：ST
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥59.569128 |
| 10+： | ￥53.530614 |
| 100+： | ￥43.86355 |
| 500+： | ￥37.340595 |
| 1000+： | ￥31.491941 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥59.57