货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥63.880643 | ¥63.88 |
10 | ¥57.344306 | ¥573.44 |
25 | ¥54.213289 | ¥1355.33 |
100 | ¥43.369643 | ¥4336.96 |
250 | ¥40.960218 | ¥10240.05 |
500 | ¥38.550794 | ¥19275.40 |
1000 | ¥33.009118 | ¥33009.12 |
2500 | ¥32.527232 | ¥81318.08 |
5000 | ¥29.635922 | ¥148179.61 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 85 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK090N65Z,S1F
型号:TK090N65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥63.880643 |
10+: | ¥57.344306 |
25+: | ¥54.213289 |
100+: | ¥43.369643 |
250+: | ¥40.960218 |
500+: | ¥38.550794 |
1000+: | ¥33.009118 |
2500+: | ¥32.527232 |
5000+: | ¥29.635922 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥63.88