IPD034N06N3GATMA1
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- 制造商编号：
- IPD034N06N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：15376
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.217457 | ￥25.22 |
| 10 | ￥22.497373 | ￥224.97 |
| 25 | ￥21.347003 | ￥533.68 |
| 100 | ￥17.537467 | ￥1753.75 |
| 500 | ￥14.487005 | ￥7243.50 |
| 1000 | ￥11.602864 | ￥11602.86 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPD034N06N3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3.4mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
130nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11000pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
167W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IPD034N06N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPD034N06N3GATMA1
数据手册PDF
。
IPD034N06N3GATMA1
型号：IPD034N06N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：15376 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.217457 |
| 10+： | ￥22.497373 |
| 25+： | ￥21.347003 |
| 100+： | ￥17.537467 |
| 500+： | ￥14.487005 |
| 1000+： | ￥11.602864 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.22