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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23.3 ns
正向跨导(Min) 6.2 S
上升时间 13.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 8.7 ns
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001100652 BSL211SPH6327XTSA1
单位重量 20 mg
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0BSL211SP
型号:BSL211SP
品牌:INFINEON
供货:锐单
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