
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥6.060754 | ¥15151.89 |
| 5000 | ¥5.772154 | ¥28860.77 |
| 12500 | ¥5.505698 | ¥68821.22 |
| 25000 | ¥5.495126 | ¥137378.15 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R1K4P7 SP001422564
单位重量 330 mg
购物车
0IPD80R1K4P7ATMA1
型号:IPD80R1K4P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥6.060754 |
| 5000+: | ¥5.772154 |
| 12500+: | ¥5.505698 |
| 25000+: | ¥5.495126 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00