货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥16.927747 | ¥16.93 |
10 | ¥15.160838 | ¥151.61 |
100 | ¥11.816063 | ¥1181.61 |
500 | ¥9.761502 | ¥4880.75 |
1000 | ¥7.70645 | ¥7706.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 95.4 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH6004SK3-13
型号:DMTH6004SK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.927747 |
10+: | ¥15.160838 |
100+: | ¥11.816063 |
500+: | ¥9.761502 |
1000+: | ¥7.70645 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.93