货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.014695 | ¥10036.74 |
5000 | ¥3.823516 | ¥19117.58 |
12500 | ¥3.647048 | ¥45588.10 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 62 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 133 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FQD18N20V2TM
型号:FQD18N20V2TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.014695 |
5000+: | ¥3.823516 |
12500+: | ¥3.647048 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00