
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.397657 | ¥29.40 |
| 10 | ¥18.775103 | ¥187.75 |
| 100 | ¥12.660693 | ¥1266.07 |
| 500 | ¥10.04218 | ¥5021.09 |
| 1000 | ¥9.361942 | ¥9361.94 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 62 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 133 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0FQD18N20V2TM
型号:FQD18N20V2TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.397657 |
| 10+: | ¥18.775103 |
| 100+: | ¥12.660693 |
| 500+: | ¥10.04218 |
| 1000+: | ¥9.361942 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.40