MUN5211DW1T1G
库存 ：1000
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.275769 | ￥2.76 |
| 100 | ￥0.220534 | ￥22.05 |
| 600 | ￥0.192971 | ￥115.78 |
| 1200 | ￥0.190071 | ￥228.09 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 35
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 187 mW
直流电流增益（Max） 35
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 12 mg
MUN5211DW1T1G 同类别型号
注
MUN5211DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
，可在锐单商城现货采购MUN5211DW1T1G、查询MUN5211DW1T1G代理商；
MUN5211DW1T1G价格批发咨询客服；这里拥有
MUN5211DW1T1G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到MUN5211DW1T1G
替代型号
、MUN5211DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5211DW1T1G
型号：MUN5211DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.275769 |
| 100+： | ￥0.220534 |
| 600+： | ￥0.192971 |
| 1200+： | ￥0.190071 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00