MUN5235DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.23864 | ￥715.92 |
| 6000 | ￥0.221368 | ￥1328.21 |
| 9000 | ￥0.183592 | ￥1652.33 |
| 30000 | ￥0.180361 | ￥5410.83 |
| 75000 | ￥0.161972 | ￥12147.90 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 2.2 kOhms
典型电阻器比率 0.047
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 187 mW
直流电流增益（Max） 80 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 12 mg
MUN5235DW1T1G 同类别型号
注
MUN5235DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5235DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5235DW1T1G
型号：MUN5235DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.23864 |
| 6000+： | ￥0.221368 |
| 9000+： | ￥0.183592 |
| 30000+： | ￥0.180361 |
| 75000+： | ￥0.161972 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00