MUN5111DW1T1G
库存 ：70
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.527209 | ￥2.64 |
| 20 | ￥0.480963 | ￥9.62 |
| 100 | ￥0.434717 | ￥43.47 |
| 500 | ￥0.388471 | ￥194.24 |
| 1000 | ￥0.366896 | ￥366.90 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 35
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 250 mW
直流电流增益（Max） 35 at 5 mA at 10 V
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 6.200 mg
MUN5111DW1T1G 同类别型号
注
MUN5111DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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替代型号
、MUN5111DW1T1G
数据手册PDF。
MUN5111DW1T1G
型号：MUN5111DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：70 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.527209 |
| 20+： | ￥0.480963 |
| 100+： | ￥0.434717 |
| 500+： | ￥0.388471 |
| 1000+： | ￥0.366896 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00