货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.708504 | ¥2125.51 |
6000 | ¥0.679031 | ¥4074.19 |
9000 | ¥0.61115 | ¥5500.35 |
30000 | ¥0.60207 | ¥18062.10 |
75000 | ¥0.565895 | ¥42442.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 130 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 0.05 S
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 7.500 mg
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0BSS84DW-7-F
型号:BSS84DW-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.708504 |
6000+: | ¥0.679031 |
9000+: | ¥0.61115 |
30000+: | ¥0.60207 |
75000+: | ¥0.565895 |
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